本文摘要：新加坡科技研究局（A＊STAR）和新加坡国立大学（NationalUniversityofSingapore）的研究人员合力，设计了一款波长附加的光侦测器，它能探讨白光荧光粉所升空的蓝光讯号，从而使白光光照网际网路（LightFidelity；Li－Fi）速度从5MHz提升到20MHz。
新加坡科技研究局（A＊STAR）和新加坡国立大学（NationalUniversityofSingapore）的研究人员合力，设计了一款波长附加的光侦测器，它能探讨白光荧光粉所升空的蓝光讯号，从而使白光光照网际网路（LightFidelity；Li－Fi）速度从5MHz提升到20MHz。尽管涂覆荧光粉的白光LED早已沦为暗淡灯光的主流，但混合物中用于的色彩切换荧光粉在光致发光寿命方面的变化相当大。例如，为了探测白光在450nm和560nm的时域解析黄色光致荧光光谱（PL），研究人员找到蓝光的波动时间为1．4ns，较黄光升空的54．4ns更慢许多。这意味著当调节白光使其以求传输数位讯号时，蓝光能以较朱光更加慢的速度有效地打开和重开，而宽频的矽（Si）光侦测器最后获得讯号的最快公分母，减慢下降和下降时间。
为了探讨于较慢的蓝光，研究人员设计了一款窄频的绿光氮化铟镓（InGaN）LED作为接收器。研究人员在公开发表于《ACSPhotonics》期刊的论文（TexturedV－PitGreenLightEmittingDiodeasaWavelength－SelectivePhotodetectorforFastPhosphor－BasedWhiteLightModulation）中详细描述在380nm的波长生产InGaNLED时，具备V型凹槽纹理的表面可提升InGaNLED主动层的峰值号召度。如同元件的3D时域受限差分（FDTD）仿真，具备纹理的V型凹槽表面由于减少角衍射和光路径，从而提升了光吸收量。（a）不具纹理的p－GaN表面；（b）LED结构的暗场。
插画表明不具击穿错位（TD）的V型凹槽特写。研究人员利用金属有机化学气相沉积（MOCVD），在蓝宝石基板上生长LED结构。
这种基板是由未掺入的GaN层、厚度大约1μm的Si掺入n－GaN层、10对InGaN（4nm）／GaN（16nm）QW、40nm薄的镁掺入AlGaN以及600nm薄的镁掺入GaN构成。不具纹理的LED结构示意图LED结构顶部不具纹理的表面是由随机产于的六角形V型凹槽（密度大约1×109／cm2）构成，具备300nm－500nm的较小调变振幅。
借由掌控三甲基镓（TMGa）气流，可在生长p－AlGaN层时获得。研究人员计算出来出有：在420?480nm范围（蓝光）的平均值吸收量较具备完全相同闪烁波长与主动层厚度的一般平面LED更高2．23倍。不具纹理的LED侦测器峰值号召度为0．23A／W，较平面LED侦测器（0．139A／W）更高63％。
这项研究背后的点子是，利用这种蓝光波长附加的光侦测器代替宽频的Si光侦测器，将不足以使白光Li－Fi通讯速度提升4倍，而需要替换任何加装的白光LED灯泡和灯具。
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